BSP373和FQT7N10TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP373 FQT7N10TF BSP372L6327HTSA1

描述 INFINEON  BSP373  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT7N10TF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 VSOT-223 N-CH 100V 1.7A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223-4

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.16 Ω 0.28 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.8 W 2 W 1.8W (Ta)

阈值电压 3 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 1.70 A 1.70 A 1.7A

输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.8 W 2W (Tc) 1.8W (Ta)

额定电压(DC) - -100 V -

额定电流 - -1.00 A -

输入电容 - 250 pF -

栅电荷 - 7.50 nC -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±25.0 V -

上升时间 - 24 ns -

额定功率(Max) - 2 W -

下降时间 - 19 ns -

长度 6.5 mm 6.7 mm -

宽度 3.5 mm 3.7 mm -

高度 1.6 mm 1.7 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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