对比图
型号 IXTK100N25P IXTQ100N25P IXTH96N25T
描述 N沟道 250V 100AIXYS SEMICONDUCTOR IXTQ100N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 VTO-247 N-CH 250V 96A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3
引脚数 - 3 -
通道数 1 - -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 600W (Tc) 600 W 625W (Tc)
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 100A 100 A 96A
输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6100pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 625W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.027 Ω -
阈值电压 - 5 V -
输入电容 - 6300 pF -
上升时间 - 26 ns -
额定功率(Max) - 600 W -
下降时间 - 28 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
宽度 5.31 mm - -
封装 TO-264-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -