70V639S12BF8和70V639S12BFGI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V639S12BF8 70V639S12BFGI8 70V639S12BCI

描述 IC SRAM 2.25Mbit 12NS 208CABGAIC SRAM 2.25Mbit 12NS 208CABGASRAM Chip Async Dual 3.3V 2.25M-Bit 128K x 18 12ns 256Pin CABGA Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 256

封装 LFBGA-208 LFBGA-208 LBGA-256

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

长度 15.0 mm 15.0 mm 17.0 mm

宽度 15.0 mm 15.0 mm 17.0 mm

封装 LFBGA-208 LFBGA-208 LBGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

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