IRFR024NPBF和IRFR024NTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR024NPBF IRFR024NTRPBF IRFR024TRPBF

描述 INFINEON  IRFR024NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VVISHAY  IRFR024TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.075 Ω 0.075 Ω 0.1 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 38 W 45 W 42 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 17A 17A 14.0 A

上升时间 34 ns 34 ns 58 ns

下降时间 27 ns 27 ns 42 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

额定功率 38 W 38 W -

输入电容 370pF @25V 370pF @25V -

漏源击穿电压 55 V 55 V -

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 45 W 45 W -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) -

通道数 1 - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

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