BCP56和BCP55-16,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56 BCP55-16,115 BCP56T3G

描述 NPN 通用放大器NXP  BCP55-16,115  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  BCP56T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 130 MHz 180 MHz 130 MHz

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 1.00 A

针脚数 3 4 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W 650 mW 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 60 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 1.35 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) 25 100 25

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1 W 0.96 W 1.5 W

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

长度 6.5 mm 6.7 mm 6.5 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm 3.5 mm

高度 1.6 mm 1.7 mm 1.63 mm

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 1000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99

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