对比图
型号 SI4830ADY-T1-E3 SI4830CDY-T1-GE3 SI4830ADY-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOICMOSFET; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.017Ω; ID 5.7A; SO-8; PD 1.1W; VGS +/-20V; gFS 1MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 - 0.025 Ω -
极性 - Dual N-Channel -
耗散功率 - 1.1 W -
输入电容 - 950pF @15V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V -
输入电容(Ciss) - 950pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) 1.1 W 2.9 W 1.1 W
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
长度 - 5 mm -
高度 - 1.55 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Last Time Buy Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -