PBSS304ND和PBSS304ND,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS304ND PBSS304ND,115

描述 低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsTSOP NPN 80V 3A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SuperSOT SC-74-6

极性 NPN NPN

耗散功率 1.1 W 2.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 240 240 @500mA, 2V

直流电流增益(hFE) 240 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

频率 - 140 MHz

额定功率(Max) - 1.1 W

耗散功率(Max) - 2500 mW

封装 SuperSOT SC-74-6

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 -

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