EMA6DXV5T1和EMA6DXV5T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMA6DXV5T1 EMA6DXV5T1G DTA144WM3T5G

描述 双共发射极偏置电阻晶体管PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Emitter Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-553 SOT-553-5 SOT-723-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 230 mW 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 160 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 160 80

额定功率(Max) 230 mW 230 mW 260 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 600 mW

宽度 - 1.3 mm 0.8 mm

高度 - 0.6 mm 0.5 mm

封装 SOT-553 SOT-553-5 SOT-723-3

长度 - 1.7 mm -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台