对比图
型号 IXFH15N100Q IXFH15N100Q3 APT17F100B
描述 TO-247AD N-CH 1000V 15AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道FREDFET N-Channel FREDFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 360W (Tc) 690 W 625W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 15A 15A 17.0 A
上升时间 27 ns 10 ns 31 ns
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 3250pF @25V(Vds) 4845pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 8 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 690W (Tc) 625W (Tc)
输入电容 - 3250 pF 2.25 nF
额定功率(Max) - 690 W -
额定电压(DC) - - 1.00 kV
额定电流 - - 17.0 A
栅电荷 - - 90.0 nC
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 16.26 mm -
宽度 - 5.3 mm -
高度 - 16.26 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free