P0805E1001BBT和P0805E1001BN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P0805E1001BBT P0805E1001BN P0805E1001BG

描述 p 0805 e 1001B b TrThin Film Resistors - SMD P 0805 E 1001B N WP e2Thin Film Resistors - SMD P 0805 E 1001B G WP e4

数据手册 ---

制造商 Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

长度 2 mm 1.91 mm 1.91 mm

宽度 1.25 mm 1.27 mm 1.27 mm

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

高度 - 0.5 mm 0.5 mm

产品生命周期 Active Active Active

额定功率 - 200 mW 200 mW

电阻 - 1 kΩ 1 kΩ

额定电压 - 150 V 150 V

工作温度 - 55℃ ~ 155℃ 55℃ ~ 155℃

温度系数 - ±25 ppm/℃ ±25 ppm/℃

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

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