IRL7833STRLPBF和IRL7833STRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL7833STRLPBF IRL7833STRRPBF IRL7833S

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 30V 150AD2PAK N-CH 30V 150A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 140 W 140 W 140W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 150A 150 A 150A

上升时间 50 ns 50 ns -

输入电容(Ciss) 4170pF @15V(Vds) 4170pF @15V(Vds) 4170pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 140 W -

下降时间 6.9 ns 6.9 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)

额定功率 140 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 4.5 mΩ - -

阈值电压 2.3 V - -

漏源击穿电压 30 V - -

长度 10.67 mm 6.5 mm -

宽度 11.3 mm 6.22 mm -

高度 4.83 mm 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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