对比图
型号 BC337-025G BC337-25ZL1G BC33740BU
描述 NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR BC337-25ZL1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 160 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC33740BU 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 170 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3
频率 210 MHz 210 MHz 100 MHz
额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V
额定电流 800 mA 800 mA 800 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.625 W 625 mW 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
针脚数 - 3 3
直流电流增益(hFE) - 160 170
最大电流放大倍数(hFE) - - 630
长度 5.2 mm 5.2 mm 4.58 mm
宽度 4.19 mm 4.19 mm 3.86 mm
高度 5.33 mm 5.33 mm 4.58 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Box Tape Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99