对比图
型号 PSMN085-150K PSMN085-150K,518 HUF75831SK8T
描述 N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETSO N-CH 150V 3.5A3A ， 150V ， 0.095 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 3A, 150V, 0.095 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 - 8 -
额定电压(DC) - - 150 V
额定电流 - - 3.00 A
漏源极电阻 - - 95.0 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 - 3.5 W 2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 - - 35.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.5A 3.5A 3.00 A
输入电容(Ciss) 1310pF @25V(Vds) 1310pF @25V(Vds) 1175pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.5 W 3.5 W 2.5 W
耗散功率(Max) - 3.5W (Tc) 2.5W (Ta)
上升时间 - 17 ns -
下降时间 - 30 ns -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free