对比图
型号 SI5445BDC-T1-GE3 SI5475BDC-T1-GE3 SI5445BDC-T1-E3
描述 MOSFET 8V 7.1A 2.5W 33mohm @ 4.5VMOSFET P-CH 12V 6A 1206-8MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -8V; RDS(ON) 0.027Ω; ID -5.2A; 1206-8 ChipFET; PD 1.3W
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 ChipFET-8 1206 1206
封装(公制) - 3216 -
漏源极电阻 - - 0.027 Ω
耗散功率 1.3W (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 1.3 W
输入电容 - - 305pF @15V
漏源极电压(Vds) 8 V 12 V 8 V
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 1.3W (Ta)
输入电容(Ciss) - 1400pF @6V(Vds) -
极性 P-Channel - -
连续漏极电流(Ids) -71.0 A - -
长度 3.05 mm 3.2 mm 3.1 mm
高度 1.1 mm - 1.1 mm
封装 ChipFET-8 1206 1206
宽度 1.65 mm 1.6 mm -
封装(公制) - 3216 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free