对比图
型号 SQ4431EY-T1-GE3 SQ4431EY-T1_GE3 SQ4942EY-T1-GE3
描述 MOSFET Transistor, P Channel, -10.8A, -30V, 0.02Ω, -10V, -1.5VMOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOICMOSFET,NN CH,W DIODE,40V,8A,SO8
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SO-8 SO-8
漏源极电阻 0.02 Ω - 0.016 Ω
极性 P-Channel P-Channel N-Channel
耗散功率 6 W 6 W 4.4 W
阈值电压 - - 2 V
漏源极电压(Vds) - 30 V 40 V
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
上升时间 - 12 ns -
输入电容(Ciss) - 1265pF @15V(Vds) -
下降时间 - 15 ns -
耗散功率(Max) - 6W (Tc) -
长度 - 4.9 mm 4.9 mm
宽度 - 3.9 mm 3.9 mm
高度 - 1.75 mm 1.75 mm
封装 SOIC SO-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free