BZX55C10-TR和BZX79-C10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C10-TR BZX79-C10 BZX55C10-TAP

描述 VISHAY  BZX55C10-TR  齐纳二极管, 500mW, 10V, DO-35Zener Diode, 10V V(Z), 6%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) TAK Cheong Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-35 DO-35 DO-35

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 DO-35 DO-35 DO-35

长度 3.9 mm - 3.9 mm

宽度 1.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

容差 ±5 % - ±5 %

击穿电压 10.6 V - 10.6 V

针脚数 2 - -

正向电压 1.5V @200mA - 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW - -

稳压值 10 V - 10 V

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

额定功率 - - 0.5 W

测试电流 - - 5 mA

耗散功率(Max) - - 500 mW

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 175℃

ECCN代码 - - EAR99

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