TLC27M7CD和TLC27M7IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27M7CD TLC27M7IDR TS27M2CDT

描述 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSTS27L2,TS27L4,TS27M2,微型电源,高电压 CMOS 运算放大器TS27L2、TS27M2(双路)和 TS27L4(四路)CMOS 运算放大器提供极佳的速率消耗比率。低功耗:10 μA/amp(TS27L2,TS27L4),150 μA/amp (TS27M2) 极佳的电容性负载相位裕度 输出电压可摆幅至接地 电源电压:3 V 至 16 V ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 16.0 V - -

输出电流 ≤30 mA - 45mA @10V

供电电流 285 µA 285 µA 150 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

耗散功率 0.725 W 0.725 W -

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.70 µV/K 1.70 µV/K -

带宽 525 kHz 525 kHz 1 MHz

转换速率 460 mV/μs 460 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 0.525 MHz 635 kHz 1 MHz

输入补偿电压 190 µV 190 µV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 0 ℃

增益带宽 635 kHz 0.525 MHz 1 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 16V 3V ~ 16V 3V ~ 16V

输入电压(Max) - - 16 V

输入电压(Min) - - 3 V

电源电压(Max) - - 16 V

电源电压(Min) - - 3 V

输入电压 - - 3V ~ 16V

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99

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