CY14B108L-BA45XI和CY62158EV30LL-45BVXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B108L-BA45XI CY62158EV30LL-45BVXI AS6C8008-55BIN

描述 8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAMCY62158EV30 系列 8 Mb (1024 K x 8) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-48AS6C8008 系列 8 Mb (1024 K x 8) 3 V 55 ns CMOS 静态 RAM - TFBGA-48

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 FBGA-48 VFBGA-48 TFBGA-48

工作电压 - - 2.7V ~ 5.7V

存取时间 - 45 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.7V ~ 5.5V

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

供电电流 57 mA 25 mA -

针脚数 - 48 -

位数 - 8 -

存取时间(Max) 45 ns 45 ns -

封装 FBGA-48 VFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a EAR99

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