FDS4559和FDS4559-F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4559 FDS4559-F085 SI4559EY-T1-E3

描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4559, 3.5 A,4.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4559_F085, 3.5 A,4.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.575 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.042 Ω - -

耗散功率 2 W - -

阈值电压 2.2 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W 2 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2 W -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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