对比图
型号 IXFX64N60P IXFX64N60P3 IXFK64N60P
描述 N 沟道 600 V 1040 W 200 nC PolarHV HiPerFET Mosfet 通孔 - PLUS-247N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N60P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 600 V, 96 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3
通道数 - 1 -
耗散功率 1040W (Tc) 1130W (Tc) 1.04 kW
阈值电压 - 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 23 ns 17 ns 23 ns
输入电容(Ciss) 12000pF @25V(Vds) 9900pF @25V(Vds) 12000pF @25V(Vds)
下降时间 24 ns 11 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1130W (Tc) 1040W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 64.0 A - 64.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 96.0 mΩ - 0.096 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
输入电容 1.15 nF - 1.15 nF
栅电荷 200 nC - 200 nC
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 64.0 A - 64.0 A
额定功率(Max) 1040 W - -
长度 - 16.13 mm -
宽度 - 5.21 mm -
高度 - 21.34 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99