对比图
型号 FDD6680 FDD6680S FDD8880
描述 MOSFET N-CH 30V 12A DPAK30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8880, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - - 3
极性 - N-CH -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 55A -
耗散功率 3.3W (Ta), 56W (Tc) - 55 W
输入电容(Ciss) 1230pF @15V(Vds) - 1260pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 56W (Tc) - 55 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.007 Ω
阈值电压 - - 2.5 V
上升时间 - - 91 ns
额定功率(Max) - - 55 W
下降时间 - - 32 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Exempt
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃