IS61LPS12836A-200B2I和IS61LPS12836A-200B2LI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61LPS12836A-200B2I IS61LPS12836A-200B2LI

描述 静态随机存取存储器 4M (128Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v静态随机存取存储器 4M (128Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 119 119

封装 BGA-119 BGA-119

电源电压(DC) 3.30 V, 3.47 V (max) 3.30 V, 3.47 V (max)

时钟频率 200MHz (max) 200MHz (max)

位数 - 36

存取时间 3.1 ns 3.1 ns

存取时间(Max) - 3.1 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

封装 BGA-119 BGA-119

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ECCN代码 - EAR99

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