IRFBE30S和IRFBE30SPBF

对比图

型号 IRFBE30S IRFBE30SPBF IRFBE30STRLPBF

描述 MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAKMOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAKPower Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

耗散功率 125W (Tc) 125000 mW -

上升时间 - 33 ns -

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 800 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free