对比图
型号 PHD66NQ03LT PHD66NQ03LT,118 934056842118
描述 PHD66NQ03LT N沟道MOSFET 25V 66A SOT-428/TO-252/D-PAK marking/标记 PHD66NQ03L 雪崩能量/桥电路中使用DPAK N-CH 25V 66APower Field-Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管
封装 SOT-428 TO-252-3 -
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 SOT-428 TO-252-3 -
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
极性 - N-CH -
耗散功率 - 93W (Tc) -
漏源极电压(Vds) - 25 V -
连续漏极电流(Ids) - 66A -
上升时间 - 90 ns -
输入电容(Ciss) - 860pF @25V(Vds) -
下降时间 - 25 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 93W (Tc) -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -