HGTG30N60A4D和IXGH60N60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HGTG30N60A4D IXGH60N60 HGTG20N60A4D

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60A4D  单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60A4D  单晶体管, IGBT, 通用, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 30.0 A 75.0 A 70.0 A

额定功率 463 W 300 W 190 W

针脚数 3 - 3

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 463 W 300000 mW 290 W

上升时间 12.0 ns 25.0 ns 12 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 55 ns - 35 ns

额定功率(Max) 463 W 300 W 290 W

下降时间 - - 32 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 463000 mW 300000 mW 290000 mW

长度 15.87 mm - 15.87 mm

宽度 4.82 mm - 4.82 mm

高度 20.82 mm 21.46 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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