TS27L2AIDT和LPC662IMX/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TS27L2AIDT LPC662IMX/NOPB TLC27M2IDG4

描述 gp 16v so82 通道、RRO、低功耗、5.5V 运算放大器 8-SOIC -40 to 85TEXAS INSTRUMENTS  TLC27M2IDG4  运算放大器, 双路, 525 kHz, 2个放大器, 0.43 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 45 mA 22mA @5V ≤30 mA

供电电流 10 µA 86 µA 285 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 65 dB 63 dB 65 dB

转换速率 40.0 mV/μs 110 mV/μs 460 mV/μs

增益频宽积 0.1 MHz 350 kHz 635 kHz

输入补偿电压 900 µV 1 mV 10 mV

输入偏置电流 1 pA .002 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 100 kHz - 0.525 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 63 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 16V - 4V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

电源电压(DC) - - 18.0 V

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 0.725 W

输入补偿漂移 - 0.00 V/K 1.70 µV/K

带宽 - - 525 kHz

耗散功率(Max) - - 725 mW

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.65 mm - -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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