IRF610L和IRF610LPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF610L IRF610LPBF

描述 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3

耗散功率 3W (Ta), 36W (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3 W -

耗散功率(Max) 3W (Ta), 36W (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc)

封装 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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