对比图
型号 FS25R12KE3G FS35R12KE3G MWI35-12E7
描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 40A 28Pin ECONO 2IGBT模块Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Screw -
引脚数 28 28 -
封装 AG-ECONO2-6 ECONO2-6 -
工作温度(Max) 125 ℃ - -
工作温度(Min) -40 ℃ - -
耗散功率(Max) 145000 mW - -
额定功率 - 200 W -
长度 107.5 mm 93 mm -
宽度 45 mm 45 mm -
高度 17 mm 17 mm -
封装 AG-ECONO2-6 ECONO2-6 -
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tray - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -