对比图
型号 IXFH12N50F STP12NM50 STP12NM50FD
描述 IXYS RF IXFH12N50F 晶体管, 射频FET, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247ADN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 12.0 A 12.0 A
额定功率 - 160 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 400 mΩ 0.35 Ω 400 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 160 W 160 W
阈值电压 5 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 12.0 A
上升时间 14 ns 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 1870pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 160 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 160W (Tc) 160W (Tc)
下降时间 - - 18 ns
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -