BC337-16RL1G和BC337ZL1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC337-16RL1G BC337ZL1 BC33716TA

描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconNPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 800 mA 800 mA 800 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

频率 - - 100 MHz

针脚数 - - 3

耗散功率 - - 625 mW

直流电流增益(hFE) - - 60

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 - - 4.58 mm

宽度 - - 3.86 mm

高度 - - 4.58 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape Tape Box

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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