对比图
型号 IXTA14N60P IXTQ14N60P IXTP14N60P
描述 N沟道 600V 14A通孔 N 通道 600V 14A（Tc） TO-3PTrans MOSFET P-CH 600V 14A 3Pin(3+Tab) TO-220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 14.0 A 14.0 A 14.0 A
耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W
输入电容 2.30 nF 2.30 nF 2.30 nF
栅电荷 36.0 nC 36.0 nC 36.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 14.0 A
上升时间 - 27 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
下降时间 - 26 ns 26 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 450 mΩ
阈值电压 - - 5.5 V
漏源击穿电压 - - 600 V
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-220-3
长度 - - 10.66 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 16 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99