对比图
型号 MRF1150MB MS2361
描述 RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PILL, 4PinTrans RF BJT NPN 65V 5.5A 4Pin
数据手册 --
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 4
封装 - M-115
频率 - -
耗散功率 - 218.7 W
输出功率 - -
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
增益 - 9 dB
最小电流放大倍数(hFE) - -
额定功率(Max) - 87.5 W
封装 - M-115
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
工作温度 - 200℃ (TJ)