对比图
型号 2N6059 JAN2N3441 JANTX2N6058
描述 NTE ELECTRONICS 2N6059 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100V, 4MHz, 150W, 12A, 750 hFENPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 2 3 3
封装 TO-3 TO-66 TO-3
安装方式 - Through Hole Through Hole
极性 NPN NPN -
耗散功率 150 W 3 W 150 W
直流电流增益(hFE) 750 - -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 175 ℃
击穿电压(集电极-发射极) - 140 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) - 25 @500mA, 4V 1000 @6A, 3V
额定功率(Max) - 3 W 150 W
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3000 mW 150000 mW
集电极最大允许电流 - 3A -
封装 TO-3 TO-66 TO-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
ECCN代码 - - EAR99