CM100TU-24F和MWI50-12E7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CM100TU-24F MWI50-12E7

描述 POWEREX CM100TU-24F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100A, 1.2kV, 500W, 1.2kV, ModuleTrans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 18Pin E2

数据手册 --

制造商 Powerex IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis Chassis

引脚数 17 18

封装 Module E2

额定电流 100 A -

极性 N-Channel -

耗散功率 500 W 350000 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V

输入电容(Cies) - 3.8nF @25V

额定功率(Max) - 350 W

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 350000 mW

封装 Module E2

高度 - 17 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ)

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