BC860BMTF和BCW70LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC860BMTF BCW70LT1G BC860B,215

描述 ON Semiconductor BC860BMTF , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  BCW70LT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFENexperia BC860B,215 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:220, 100(最小值)MHz, 3引脚 SOT-23封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - -45.0 V -

额定电流 - -100 mA -

针脚数 3 3 3

极性 - PNP -

耗散功率 310 mW 225 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 310 mW 225 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 800 215 220

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 300 mW 250 mW

频率 - - 100 MHz

额定功率 - - 0.25 W

增益频宽积 - - 100 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V

长度 2.9 mm 2.9 mm 3 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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