对比图
型号 ULN2803AP ULN2804A ULQ2803A
描述 PDIP NPN 50V 0.5ASTMICROELECTRONICS ULN2804A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIPSTMicroelectronics达林顿晶体管功率提供高电压、高电流开关阵列，包含多个开路集电极复合晶体管对和一体式抑制二极管，用于电感性负载。 每个输出的高电流额定值为 500 mA 或更高。 输入是与输出相反的引脚，采用 IC 封装，用于简化应用板布局。 接口为标准逻辑电平，用于 TTL 或 CMOS。### 达林顿晶体管驱动器
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 18 18 18
封装 DIP DIP-18 DIP-18
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
额定电流 500 mA 500 mA 500 mA
额定功率 - - 2.25 W
输出电压 - 50 V 50 V
输出电流 - 500 mA 500 mA
通道数 - 8 8
针脚数 - 18 18
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 2.25 W 2.25 W
输入电容 - 15.0 pF 15.0 pF
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V
额定功率(Max) - 2.25 W 2.25 W
直流电流增益(hFE) - 1000 1000
工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - -20 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 2250 mW 2.25 W
输入电压 - - 30 V
集电极最大允许电流 0.5A - -
长度 - 23.24 mm 23.24 mm
宽度 - 7.1 mm 7.1 mm
高度 - 3.93 mm 3.67 mm
封装 DIP DIP-18 DIP-18
工作温度 - -20℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 105℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 EAR99