对比图
型号 IRG4RC10SD RC-10 IRG4RC10SDPBF
描述 IGBT 600V 14A 38W DPAKInsulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3INFINEON IRG4RC10SDPBF 单晶体管, IGBT, 14 A, 1.7 V, 38 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 - TO-252-3
引脚数 - - 3
额定功率 38 W - 38 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V
反向恢复时间 28 ns - 28 ns
额定功率(Max) 38 W - 38 W
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
耗散功率 - - 38 W
上升时间 - - 31.0 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 38000 mW
封装 TO-252-3 - TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99