IRF510PBF和IRL510A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF510PBF IRL510A IRF510_NL

描述 功率MOSFET Power MOSFET先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3Pin (3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 5.60 A 5.60 A -

漏源极电阻 0.54 Ω 440 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 43 W 37W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.60 A 5.60 A 5.6A

输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 235pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 43W (Tc) 37W (Tc) -

额定功率 43 W - -

针脚数 3 - -

阈值电压 4 V - -

上升时间 16 ns - -

额定功率(Max) 43 W - -

下降时间 9.4 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.41 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 9.01 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown -

包装方式 Tube Tube -

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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