对比图
型号 PD55008L PD55008L-E PD55008-E
描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsMOSFET 晶体管，STMicroelectronics射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 VFQFPN Power Flat 14 PowerVDFN-8 PowerSO-10RF
引脚数 - 14 3
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 19.5 W 19.5 W 52.8 W
漏源击穿电压 40.0 V - 40.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 1.00 µA 4.00 A
频率 - 500 MHz 500 MHz
额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V
额定电流 - 5 A 4 A
漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V
输出功率 - 8 W 8 W
增益 - 19 dB 17 dB
测试电流 - 150 mA 150 mA
输入电容(Ciss) - 53pF @12.5V(Vds) 58pF @12.5V(Vds)
输出功率(Max) - 8 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 19500 mW 52800 mW
额定电压 - 40 V 40 V
针脚数 - - 3
封装 VFQFPN Power Flat 14 PowerVDFN-8 PowerSO-10RF
长度 - 5 mm 9.5 mm
宽度 - 5 mm 9.4 mm
高度 - 0.88 mm 3.5 mm
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 165℃
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR