BC859B E6327和BC860BE6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC859B E6327 BC860BE6327 BC859BE6327

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, SiliconSOT-23 PNP 45V 0.1ASOT-23 PNP 30V 0.1A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOT-23 SOT-23

频率 - 250 MHz -

极性 - PNP PNP

耗散功率 - 330 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

封装 - SOT-23 SOT-23

产品生命周期 Obsolete End of Life Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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