2STR1215和PBSS4320T,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2STR1215 PBSS4320T,215 MMBTA42LT1G

描述 STMICROELECTRONICS  2STR1215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 500 mW, 2 A, 280 hFENXP  PBSS4320T,215  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 300 mW, 2 A, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBTA42LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 225 mW, 500 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 500 mW 300 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 20 V 300 V

集电极最大允许电流 1.5A 2A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @500mA, 2V 220 @1A, 2V 40 @30mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW 540 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 280 200 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 1200 mW 300 mW

频率 - 100 MHz 50 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - 220 @100mA, 2V -

额定电压(DC) - - 300 V

额定电流 - - 500 mA

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.95 mm 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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