对比图
型号 PBSS5220V PBSS5220V,115
描述 20 V ，2 A PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorSOT-666 PNP 20V 2A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6
封装 SOT-666 SOT-666
额定功率 - -
耗散功率 - 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V
最小电流放大倍数(hFE) - 155 @1A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - 220 @1mA, 2V
额定功率(Max) - 900 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 900 mW
频率 - 185 MHz
极性 PNP PNP
集电极最大允许电流 2A 2A
直流电流增益(hFE) - 495
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
封装 SOT-666 SOT-666
工作温度 - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17