对比图
型号 FDMS7682 FDMS8670S BSC100N03MSGATMA1
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TMINFINEON BSC100N03MSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-56-8 Power-56-8 PG-TDSON-8
漏源极电阻 0.0052 Ω - 0.0083 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 2.5 W 30 W
阈值电压 1.9 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 16A 42.0 A 12A
上升时间 10 ns 19 ns 4.8 ns
输入电容(Ciss) 1885pF @15V(Vds) 4000pF @15V(Vds) 1700pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -
下降时间 10 ns 10 ns 5.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 33W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 42.0 A -
输入电容 - 4.00 nF -
栅电荷 - 73.0 nC -
漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V
额定功率 - - 30 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
长度 5 mm 6 mm 5.9 mm
宽度 6 mm 5 mm 5.15 mm
高度 1.05 mm 1.1 mm 1.27 mm
封装 Power-56-8 Power-56-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -