VBT1060C-E3/8W和VBT1060C-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VBT1060C-E3/8W VBT1060C-E3/4W

描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 700mV @5A 700mV @5A

封装 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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