JANS2N4261和JANTX2N4261

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N4261 JANTX2N4261

描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1Element, Silicon, PNP, TO-72, HERMETIC SEALED, METAL CAN, TO-72, 4PinTO-72 PNP 15V 0.03A

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-72 TO-72-3

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW

耗散功率 - 0.2 W

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V

集电极最大允许电流 - 0.03A

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @10mA, 1V

额定功率(Max) - 200 mW

封装 TO-72 TO-72-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 - EAR99

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