BLF6G20LS-140和BLF6G20LS-140,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G20LS-140 BLF6G20LS-140,118

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 39A 3Pin SOT-502B T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Ampleon USA

分类 晶体管

基础参数对比

引脚数 - 3

封装 SOT502B SOT-502

安装方式 Surface Mount -

频率 - 1.93GHz ~ 1.99GHz

额定电流 - 39 A

输出功率 - 35.5 W

增益 - 16.5 dB

测试电流 - 1 A

工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

额定电压 - 65 V

漏源极电阻 70 mΩ -

漏源击穿电压 65 V -

封装 SOT502B SOT-502

长度 20.7 mm -

宽度 9.91 mm -

高度 4.72 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR -

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