IRF630M和IRF630MFP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF630M IRF630MFP UF630L-TF1-T

描述 N沟道200V - 0.35ヘ - 9A - TO- 220 / TO- 220FP网Overlay⑩功率MOSFET N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A - TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay⑩ Power MOSFETN沟道200V - 0.35W - 9A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) UTC (友顺)

分类

基础参数对比

封装 TO-220 TO-220 TO-220

引脚数 - 3 -

封装 TO-220 TO-220 TO-220

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

上升时间 - 15 ns -

输入电容(Ciss) - 540pF @25V(Vds) -

下降时间 - 12 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 30000 mW -

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