对比图
型号 IRF630M IRF630MFP UF630L-TF1-T
描述 N沟道200V - 0.35ヘ - 9A - TO- 220 / TO- 220FP网Overlay⑩功率MOSFET N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A - TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay⑩ Power MOSFETN沟道200V - 0.35W - 9A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.35W - 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET200V, 9A N-CHANNEL POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) UTC (友顺)
分类
封装 TO-220 TO-220 TO-220
引脚数 - 3 -
封装 TO-220 TO-220 TO-220
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
上升时间 - 15 ns -
输入电容(Ciss) - 540pF @25V(Vds) -
下降时间 - 12 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 30000 mW -