对比图
型号 IXGT30N120B3D1 IXGT30N60B2D1 IXGT28N60B
描述 IGBT 分立，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin(2+Tab) TO-268
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268-3
引脚数 3 - -
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 300 W 190 W 150 W
反向恢复时间 100 ns 25 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
针脚数 3 - -
耗散功率 300 W - -
封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268-3
长度 16.05 mm 16.05 mm -
宽度 14 mm 14 mm -
高度 5.1 mm 5.1 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20 - -
ECCN代码 EAR99 - -