对比图
型号 IRF3711 IRF3711PBF
描述 TO-220AB N-CH 20V 110AP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 3.1W (Ta), 120W (Tc) 120 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 110A 110A
输入电容(Ciss) 2980pF @10V(Vds) 2980pF @10V(Vds)
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
额定功率 - 120 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.006 Ω
阈值电压 - 3 V
漏源击穿电压 - 20 V
上升时间 - 220 ns
额定功率(Max) - 3.1 W
下降时间 - 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.54 mm
宽度 - 4.69 mm
高度 - 8.77 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 - Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17