对比图
型号 SI5504BDC-T1-GE3 SI5504DC-T1-E3 SI5504BDC-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8SI5504BDC-T1-E3 N/P-channel MOSFET Transistor, 3.7A, 4A, 30V, 8Pin 1206
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8
漏源极电阻 - 85 mΩ -
极性 - N-Channel, P-Channel -
耗散功率 - 2.1 W -
阈值电压 - 1 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 2.10 A -
额定功率(Max) - 1.1 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 2 - -
输入电容(Ciss) 220pF @15V(Vds) - 220pF @15V(Vds)
热阻 - - 70℃/W (RθJA)
封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8
长度 - - 3.1 mm
高度 - - 1.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -